IRFH5210TRPBF
កម្មវិធី
1.ការកែតម្រូវសមកាលកម្មផ្នែកបន្ទាប់បន្សំ
2.Inverters សម្រាប់ DC Motors
3.DC-DC កម្មវិធីឥដ្ឋ
4.Boost Converters
លក្ខណៈពិសេស
1.Low RDSon (≤ 14.9mΩ នៅ Vgs = 10V)
2.ភាពធន់នឹងកំដៅទាបចំពោះ PCB (≤ 1.2°C/W)
3.100% Rg សាកល្បង
4.Low Profile (≤ 0.9 mm)
5.Industry-Standard Pinout
6.Compatible with Existing Surface Mount Techniques
7. អនុលោមតាម RoHS មិនមានសារធាតុនាំមុខ គ្មាន Bromide និងគ្មាន Halogen
8.MSL1, គុណវុឌ្ឍិឧស្សាហកម្ម
អត្ថប្រយោជន៍
1. ការថយចុះនៃចរន្តអគ្គិសនី
2.បើកដំណើរការការសាយភាយកម្ដៅបានប្រសើរជាងមុន។
3. បង្កើនភាពជឿជាក់
4. ដង់ស៊ីតេថាមពលកើនឡើង
5.ភាពឆបគ្នានៃអ្នកលក់ច្រើន។
6. ការផលិតកាន់តែងាយស្រួល
7. មិត្តភាពបរិស្ថាន
8. បង្កើនភាពជឿជាក់
លេខផ្នែក : IRFH9310TRPBF
ក្រុមហ៊ុនផលិត/BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
ផ្នែកនៃការពិពណ៌នា៖ MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
ស្ថានភាពនាំមុខដោយឥតគិតថ្លៃ / ស្ថានភាព RoHS: នាំមុខដោយឥតគិតថ្លៃ / អនុលោមតាម RoHS
ស្ថានភាពស្តុក៖ ដើមថ្មី 12000 pcs មានក្នុងស្តុក។
ការដឹកជញ្ជូនពី៖ ហុងកុង
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន: DHL / Fedex / TNT / UPS
គុណលក្ខណៈផលិតផល តម្លៃជ្រើសរើសគុណលក្ខណៈ
លេខផ្នែក IRFH9310TRPBF
ក្រុមហ៊ុនផលិត / ម៉ាក Rectifier អន្តរជាតិ (Infineon Technologies)
បរិមាណស្តុក 12000 pcs
ប្រភេទផលិតផល Semiconductor ដាច់ពីគ្នា > ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - Single
ការពិពណ៌នាអំពី MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
ស្ថានភាពនាំមុខដោយឥតគិតថ្លៃ / ស្ថានភាព RoHS: នាំមុខដោយឥតគិតថ្លៃ / អនុលោមតាម RoHS
ទទឹង - ខាងក្នុង -55°C ~ 150°C (TJ)
វ៉ុល/ចរន្ត - ទិន្នផល 1 PQFN (5x6)
ការអត់ធ្មត់ 5250pF @ 15V
ប្រភេទកន្ទុយ P-Channel
មុំជំហាន MOSFET (អុកស៊ីដដែក)
បង្រួមសីតុណ្ហភាព Infineon Technologies
ប្រភេទ SFP/XFP ± 20V
សមត្ថភាពពីចម្ងាយ HEXFET®
ទីលាន - ខ្សែផ្ទៃម៉ោន
ឈ្មោះផ្សេងទៀត Lead free / RoHS Compliant
ឈ្មោះផ្សេងៗ ១
Oscillator ប្រភេទ 8-PowerVDFN
ចំនួន 30V របស់ DAC
ទំនាញជាក់លាក់រាវអប្បបរមា -
Mating Orientation 4.6 mOhm @ 21A, 10V
លេខផ្នែក ក្រុមហ៊ុនផលិត IRFH9310TRPBFDKR-ND
ប្រវែង - Barrel Digi-Reel®
ពណ៌ចង្កៀង 4.5V, 10V
វ៉ុលចំហៀងខ្ពស់ - អតិបរមា (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
អនុគមន៍ 58nC @ 4.5V
Coil Power Active
សមត្ថភាពឆានែល (CS(បិទ), CD(បិទ)) 3.1W (Ta)
ឧបករណ៍អានកាតប្រភេទ 2.4V @ 100µA
លក្ខណៈពិសេសនិងអត្ថប្រយោជន៍
លក្ខណៈពិសេស អត្ថប្រយោជន៍លទ្ធផល
RDSon ទាប (≤ 4.6mΩ) ការបាត់បង់ចរន្តទាប
ភាពឆបគ្នារបស់អ្នកលក់ច្រើនកញ្ចប់ PQFN ស្តង់ដារឧស្សាហកម្ម
អនុលោមតាម RoHS មិនមានសារធាតុនាំមុខ គ្មាន Bromide និងគ្មាន Halogen Friendlier បរិស្ថាន
លទ្ធផលនៅក្នុង
ចំណាំ
បរិមាណទម្រង់
IRFH9310TRPBF PQFN កាសែត 5mm x 6mm និង Reel 4000
លេខផ្នែកដែលអាចបញ្ជាទិញបាន ប្រភេទកញ្ចប់ កញ្ចប់ស្តង់ដារ
VDS -30 V
RDS (បើក) អតិបរមា
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (ធម្មតា) 110 nC
RG (ធម្មតា) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
ការវាយតម្លៃអតិបរមាដាច់ខាត
ឯកតាប៉ារ៉ាម៉ែត្រ
វ៉ុលបង្ហូរទៅប្រភព VDS
វ៉ុលច្រកទៅប្រភព VGS
ID @ TA = 25°C ចរន្តបង្ហូរបន្តបន្ទាប់ VGS @ -10V
លេខសម្គាល់ @ TA = 70 ° C ចរន្តបង្ហូរបន្ត, VGS @ -10V
លេខសម្គាល់ @ TC = 25 °C ចរន្តបង្ហូរបន្ត VGS @ -10V (ស៊ីលីកុនលីមីតធីត)
លេខសម្គាល់ @ TC = 70 ° C ចរន្តបង្ហូរបន្ត VGS @ -10V (ស៊ីលីកុនលីមីតធីត)
លេខសម្គាល់ @ TC = 25°C ចរន្តបង្ហូរបន្តបន្ទាប់ VGS @ -10V (កញ្ចប់មានកំណត់)
IDM Pulsed Drain Current
PD @TA = 25°C ការរំសាយថាមពល
PD @ TA = 70°C ការបំភាយថាមពល
កត្តាកំណត់លីនេអ៊ែរ W/°C
ប្រសព្វប្រតិបត្តិការ TJ និង
ជួរសីតុណ្ហភាពផ្ទុក TSTG
ការវាយតម្លៃដដែលៗ;ទទឹងជីពចរកំណត់ដោយអតិបរមា។សីតុណ្ហភាពប្រសព្វ។
ចាប់ផ្តើម TJ = 25 ° C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A ។
ទទឹងជីពចរ ≤ 400µs;វដ្តកាតព្វកិច្ច ≤ 2% ។
នៅពេលដំឡើងនៅលើបន្ទះស្ពាន់ 1 អ៊ីញការ៉េ។
Rθ ត្រូវបានវាស់នៅ TJ ប្រហែល 90 ° C ។
សម្រាប់ DESIGN AID តែប៉ុណ្ណោះ មិនមែនជាកម្មវត្ថុនៃការធ្វើតេស្តផលិតកម្មទេ។
